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10 月 22 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（10 月 21 日）發(fā)布博文，報道稱在 SK 海力士第二代 3Gb DDR5 內(nèi)存芯片曝光，推測其原生 JEDEC 速度可能高達 7200 MT/s。
IT之家援引博文介紹，十銓（Team Group）的 Kevin Wu 在 Facebook 群組 Clock'EM UP 上發(fā)布了一款芯片，其顆粒上帶有“X021”標(biāo)記和“AKBD”部件代碼。
@unikoshardware 分析認(rèn)為，“X021”標(biāo)簽表明這是第二代 3Gb A-Die 顆粒，將用于接替當(dāng)前主流 DDR5 內(nèi)存模塊所使用的 3Gb M-Die 顆粒。
按照 SK 海力士以往的命名規(guī)律，字母對“EB”、“GB”和“HB”分別對應(yīng) 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 的原生 JEDEC 速度。因此，新出現(xiàn)的“KB”代號很可能延續(xù)了這一模式，指向 7200 MT/s 的原生速度。
該媒體還指出這一規(guī)格的提升與英特爾未來的平臺路線圖高度吻合。根據(jù)英特爾的規(guī)劃文件，其 Arrow Lake Refresh 和 Panther Lake 處理器預(yù)計將原生支持 7200 MT/s 的 DDR5 速度，相比于 Raptor Lake 的 5600 MT/s 和 Arrow Lake 的 6400 MT/s 有顯著提升。
有用戶指出，此次曝光的內(nèi)存樣品使用的是 8 層 PCB（印刷電路板），這可能會成為性能瓶頸。盡管搭載了最新的 A-Die 顆粒，但 8 層 PCB 在處理超過 8000 MT/s 的高速信號時，其信號完整性和供電能力會面臨挑戰(zhàn)，難以保持穩(wěn)定。因此，限制最終性能的可能不是芯片本身，而是電路板的設(shè)計。